Hrubý karbid křemíku

Karbid křemíku zrnitost 100 Popis

Třetí -generace polovodičových vysoce{1}}výkonových elektronických zařízení reprezentovaná SiC je jedním z nejrychleji rostoucích výkonových polovodičových zařízení v oblasti výkonové elektroniky.

 

Karbid křemíku jako typický představitel třetí generace polovodičových materiálů, ale také nejvyspělejší technologie výroby krystalů a úroveň výroby zařízení, jeden z nejpoužívanějších širokopásmových polovodičových materiálů, vytvořil globální průmyslový řetězec materiálů, zařízení a aplikací. Je to ideální polovodičový materiál pro vysoko-teplotní, vysoko-frekvenční, radiaci-odolné a-aplikace s vysokým výkonem.

 

 

 

 

Specifikace produktů z karbidu křemíku

Dodavatelé produktů z karbidu křemíku-ZhenAn International

 

 

TYPICKÁ CHEMICKÁ ANALÝZA
SiC	99.05%
Si02	0.20%
F, Si	0.03%
Fe203	0.10%
F.C	0.04%
TYPICKÉ FYZICKÉ VLASTNOSTI
Tvrdost:	Mohs: 9.5
Bod tání:	Sublimuje při 2600 stupních
Maximální provozní teplota:	1900 stupňů
Specifická gravitace:	3,2 g/cm³
Sypná hustota (LPD):	1,2-1,6 g/cm3
Barva:	Zelený
Tvar částice:	Šestihranný

 

Výrobce karbidu křemíku o zrnitosti 100-ZhenAn International

 

Dodavatel SiC Powder-ZhenAn

 

Mechanické vlastnosti:vysoká tvrdost (Kjeldahlova tvrdost 3000 kg/mm²), může řezat rubín; vysoká odolnost proti opotřebení, na druhém místě po diamantu.

 

Tepelné vlastnosti:tepelná vodivost převyšuje vodivost kovové mědi, 3krát vyšší než Si a 8 až 10krát vyšší než GaAs, dobrý odvod tepla, velmi důležitý pro zařízení s vysokým výkonem.

 

Chemické vlastnosti:odolnost proti korozi je velmi silná, při pokojové teplotě může odolat téměř všem známým korozivním činidlům. SiC povrch snadná oxidace pro vytvoření tenké vrstvy SiO2, může zabránit jeho další oxidaci, při vyšších než 1700 stupňů, tato vrstva oxidového filmu tání a rychlou oxidační reakci. SiC může být rozpuštěn v roztaveném materiálu oxidačního činidla.

 

Elektrické vlastnosti:4H-SiC a 6H-pásmový rozdíl SiC je asi 3krát větší než Si, 2krát větší než GaAs; jeho intenzita elektrického pole je o jeden řád vyšší než u Si a rychlost saturačního elektronového driftu je 2,5krát vyšší než u Si. 4H-SiC má širší pásmovou mezeru než 6H-SiC.

 

36 Zrnitost Karbid křemíku Fotografie návštěvy zákazníka

 

FAQ

 

 

Otázka: Dá se o ceně vyjednávat?

Odpověď: Ano, neváhejte nás kdykoli kontaktovat, pokud máte nějaké dotazy. A pro klienty, kteří chtějí rozšířit trh, uděláme maximum, abychom je podpořili.

Otázka: Můžete dodat vzorky zdarma?

Odpověď: Ano, můžeme zákazníkům poskytnout bezplatné vzorky, aby zkontrolovali kvalitu nebo provedli chemické analýzy, ale sdělte nám prosím podrobné požadavky, abychom připravili správné vzorky.

Otázka: Kdy můžete zboží dodat?

A: Obvykle můžeme zboží dodat do 15-20 dnů poté, co obdržíme zálohovou platbu nebo originální L / C.

Otázka: Můžete dodat protokol o testu vydaný společností SGS nebo jinou inspekcí-třetí strany??

Odpověď: Ano, můžeme, pokud si zákazníci vyžádají-testy třetích stran.

Upřímně doufáme, že budeme vaším partnerem, vítáme nové i staré zákazníky, kteří navštíví průvodce a také různé formy rozhovorů o obchodní spolupráci!

Populární Tagy: hrubý karbid křemíku, Čína výrobci hrubého karbidu křemíku, dodavatelé, továrna